Low threshold current strained-layer InGaAs/GaAs/GaInP lasers grown by gas-source molecular beam epitaxy

Julkaisun otsikon käännös: Low threshold current strained-layer InGaAs/GaAs/GaInP lasers grown by gas-source molecular beam epitaxy

Tutkimustuotos: Artikkeli › Tieteellinen › vertaisarvioitu

29 Sitaatiot (Scopus)

Julkaisun otsikon käännös	Low threshold current strained-layer InGaAs/GaAs/GaInP lasers grown by gas-source molecular beam epitaxy
Alkuperäiskieli	Englanti
Sivut	s. 96
Julkaisu	Applied Physics Letters
Vuosikerta	61
Tila	Julkaistu - 1992
OKM-julkaisutyyppi	A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Julkaisufoorumi-taso

@article{9ae55b95a990402ba1a5a040bdc575fd,

title = "Low threshold current strained-layer InGaAs/GaAs/GaInP lasers grown by gas-source molecular beam epitaxy",

author = "G. Zhang and J. N{\"a}ppi and K. V{\"a}nttinen and H. Asonen and M. Pessa",

note = "Contribution: organisation=fys,FACT1=1",

year = "1992",

language = "English",

volume = "61",

pages = "s. 96",

journal = "Applied Physics Letters",

issn = "0003-6951",

publisher = "American Institute of Physics",

}

TY - JOUR

T1 - Low threshold current strained-layer InGaAs/GaAs/GaInP lasers grown by gas-source molecular beam epitaxy

AU - Zhang, G.

AU - Näppi, J.

AU - Vänttinen, K.

AU - Asonen, H.

AU - Pessa, M.

N1 - Contribution: organisation=fys,FACT1=1

PY - 1992

Y1 - 1992

M3 - Article

SN - 0003-6951

VL - 61

SP - s. 96

JO - Applied Physics Letters

JF - Applied Physics Letters

ER -