Method for growing GaAs films on Si or GaAs substrates using ale

Julkaisun otsikon käännös: Method for growing GaAs films on Si or GaAs substrates using ale

M. Pessa (Keksijä), H. Asonen (Keksijä), J. Varrio (Keksijä), A. Salokatve (Keksijä)

    Tutkimustuotos: Patentti

    Julkaisun otsikon käännösMethod for growing GaAs films on Si or GaAs substrates using ale
    AlkuperäiskieliEnglanti
    PatenttinumeroUS 4876218
    Prioriteetti päiväys24/10/89
    TilaJulkaistu - 1989
    OKM-julkaisutyyppiH1 Myönnetty patentti

    Julkaisufoorumi-taso

    • Ei tasoa

    Siteeraa tätä