Monolithic semiconductor saturable absorber mirror with strain-compensated GaInAs/GaAsP quantum wells

Julkaisun otsikon käännös: Monolithic semiconductor saturable absorber mirror with strain-compensated GaInAs/GaAsP quantum wells

Tutkimustuotos: Artikkeli › Tieteellinen › vertaisarvioitu

2 Sitaatiot (Scopus)

Julkaisun otsikon käännös	Monolithic semiconductor saturable absorber mirror with strain-compensated GaInAs/GaAsP quantum wells
Alkuperäiskieli	Englanti
Sivut	989-992
Julkaisu	Journal of Crystal Growth
Vuosikerta	301-302
DOI - pysyväislinkit	https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2006.11.277
Tila	Julkaistu - 2007
OKM-julkaisutyyppi	A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Julkaisufoorumi-taso

@article{0386f64f2de44a279b30bf91d4ac0207,

title = "Monolithic semiconductor saturable absorber mirror with strain-compensated GaInAs/GaAsP quantum wells",

author = "N. Xiang and H.F. Liu and J. Kong and D.Y. Tang and M. Pessa",

note = "Contribution: organisation=orc,FACT1=1",

year = "2007",

doi = "10.1016/j.jcrysgro.2006.11.277",

language = "English",

volume = "301-302",

pages = "989--992",

journal = "Journal of Crystal Growth",

issn = "0022-0248",

publisher = "Elsevier B.V.",

}

TY - JOUR

T1 - Monolithic semiconductor saturable absorber mirror with strain-compensated GaInAs/GaAsP quantum wells

AU - Xiang, N.

AU - Liu, H.F.

AU - Kong, J.

AU - Tang, D.Y.

AU - Pessa, M.

N1 - Contribution: organisation=orc,FACT1=1

PY - 2007

Y1 - 2007

U2 - 10.1016/j.jcrysgro.2006.11.277

DO - 10.1016/j.jcrysgro.2006.11.277

M3 - Article

SN - 0022-0248

VL - 301-302

SP - 989

EP - 992

JO - Journal of Crystal Growth

JF - Journal of Crystal Growth

ER -