Monolithic Vertical Integration of Si/SiGe HBT and Si-Based Resonant Interband Tunneling Diode Demonstrating Latching Operation and Adjustable Peak-To-Valley Current Ratios

Sung Yong Chung, Niu Jin, Ronghua Yu, Paul R. Berger, Phillip E. Thompson, Roger Lake, Sean L. Rommel, Santosh K. Kurinec

Tutkimustuotos: Conference contributionScientificvertaisarvioitu

Abstrakti

We report the first monolithic vertical integration of a Si / SiGe HBT with a Si-based resonant interband tunnel diode (RITD) on a silicon substrate. This enables a 3-terminal negative differential resistance (NDR) device and the resulting devices have the distinguishing characteristics of adjustable peak-to-valley current ratio and adjustable peak current density (PCD) in the collector current under common emitter configuration at room temperature. We experimentally demonstrate its latching property and switching operation based on quantum mechanics.

AlkuperäiskieliEnglanti
OtsikkoIEEE International Electron Devices Meeting 2003
KustantajaIEEE
Sivut296-299
Sivumäärä4
ISBN (painettu)0-7803-7872-5
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 2003
Julkaistu ulkoisestiKyllä
OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisussa
TapahtumaIEEE International Electron Devices Meeting - Washington, DC, Yhdysvallat
Kesto: 8 jouluk. 200310 jouluk. 2003

Julkaisusarja

NimiTechnical Digest - International Electron Devices Meeting
KustantajaInstitute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
ISSN (painettu)0163-1918

Conference

ConferenceIEEE International Electron Devices Meeting
Maa/AlueYhdysvallat
KaupunkiWashington, DC
Ajanjakso8/12/0310/12/03

!!ASJC Scopus subject areas

  • Electronic, Optical and Magnetic Materials
  • Condensed Matter Physics
  • Electrical and Electronic Engineering
  • Materials Chemistry

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'Monolithic Vertical Integration of Si/SiGe HBT and Si-Based Resonant Interband Tunneling Diode Demonstrating Latching Operation and Adjustable Peak-To-Valley Current Ratios'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä