Nanohole Etching in AlGaSb with Gallium Droplets

Tutkimustuotos: ArtikkeliTieteellinenvertaisarvioitu

16 Sitaatiot (Scopus)
19 Lataukset (Pure)

Abstrakti

We demonstrate nanohole formation in AlGaSb by Ga droplet etching within a temperature range from 270 to 500 °C, allowing a wide range of tunability of the nanohole density. By leveraging the low vapor pressure of Sb, we can obtain a high degree of control over droplet formation and nanohole etching steps and reveal the physics of adatom diffusion in these processes. Furthermore, by combining the experimental results and a geometric diffusion-based model, we can determine the temperature and Sb-flux dependencies of the critical monolayer coverage of Sb atoms required for driving the droplet etching process to completion. These findings provide new insight into the droplet formation and etching process present in the droplet-mediated synthesis of semiconductor nanostructures and represent a significant step toward development of telecom-emitting quantum dots in the GaSb system.

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut1917–1923
Sivumäärä7
JulkaisuCrystal Growth and Design
Vuosikerta21
Numero4
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 2021
OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Julkaisufoorumi-taso

  • Jufo-taso 2

!!ASJC Scopus subject areas

  • Yleinen kemia
  • Yleinen materiaalitiede
  • Condensed Matter Physics

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'Nanohole Etching in AlGaSb with Gallium Droplets'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä