On the optical crystal properties of quantum-well GaIn(N)As/GaAs semiconductors grown by molecular-beam epitaxy

Julkaisun otsikon käännös: On the optical crystal properties of quantum-well GaIn(N)As/GaAs semiconductors grown by molecular-beam epitaxy

E.-M. Pavelescu, J. Slotte, V.D.S. Dhaka, K. Saarinen, S. Antohe, Gh. Cimpoca, M. Pessa

Tutkimustuotos: ArtikkeliScientificvertaisarvioitu

6 Sitaatiot (Scopus)
Julkaisun otsikon käännösOn the optical crystal properties of quantum-well GaIn(N)As/GaAs semiconductors grown by molecular-beam epitaxy
AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut33-37
JulkaisuJournal of Crystal Growth
Vuosikerta297
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 2006
Julkaistu ulkoisestiKyllä
OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Julkaisufoorumi-taso

  • Ei tasoa

Siteeraa tätä