`p-on-n' Si interband tunnel diode grown by molecular beam epitaxy

K. D. Hobart, P. E. Thompson, S. L. Rommel, T. E. Dillon, P. R. Berger, D. S. Simons, P. H. Chi

Tutkimustuotos: ArtikkeliScientificvertaisarvioitu

14 Sitaatiot (Scopus)

Abstrakti

Si interband tunnel diodes have been successfully fabricated by molecular beam epitaxy and room temperature peak-to-valley current ratios of 1.7 have been achieved. The diodes consist of opposing n- and p-type δ-doped injectors separated by an intrinsic Si spacer. A “p-on-n” configuration was achieved for the first time using a novel low temperature growth technique that exploits the strong surface segregation behavior of Sb, the n-type dopant, to produce sharp delta-doped profiles adjacent to the intrinsic Si spacer.

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut290-293
Sivumäärä4
JulkaisuJournal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures
Vuosikerta19
Numero1
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 2001
Julkaistu ulkoisestiKyllä
OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

!!ASJC Scopus subject areas

  • Condensed Matter Physics
  • Electrical and Electronic Engineering

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin '`p-on-n' Si interband tunnel diode grown by molecular beam epitaxy'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä