Photoluminescence and structural properties of GaInNAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy under different arsenic pressures

T. Hakkarainen; E.-M. Pavelescu; J. Likonen

Photoluminescence and structural properties of GaInNAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy under different arsenic pressures

Julkaisun otsikon käännös: Photoluminescence and structural properties of GaInNAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy under different arsenic pressures

T. Hakkarainen
, E.-M. Pavelescu
, J. Likonen

Tutkimustuotos: Artikkeli › Tieteellinen › vertaisarvioitu

8 Sitaatiot (Scopus)

Julkaisun otsikon käännös	Photoluminescence and structural properties of GaInNAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy under different arsenic pressures
Alkuperäiskieli	Englanti
Sivut	266-269
Julkaisu	Physica E
Vuosikerta	32
Tila	Julkaistu - 2006
OKM-julkaisutyyppi	A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Julkaisufoorumi-taso

Ei tasoa

Siteeraa tätä

@article{08d548d65d544cafa1c89c3985eae58b,

title = "Photoluminescence and structural properties of GaInNAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy under different arsenic pressures",

author = "T. Hakkarainen and E.-M. Pavelescu and J. Likonen",

note = "Contribution: organisation=orc,FACT1=1",

year = "2006",

language = "English",

volume = "32",

pages = "266--269",

journal = "Physica E",

}