Photovoltaic properties of low-bandgap (0.7–0.9 eV) lattice-matched GaInNAsSb solar junctions grown by molecular beam epitaxy on GaAs
- Riku Isoaho*
- , Arto Aho
- , Antti Tukiainen
- , Timo Aho
- , Marianna Raappana
- , Turkka Salminen
- , Jarno Reuna
- , Mircea Guina
*Tämän työn vastaava kirjoittaja
Tutkimustuotos: Artikkeli › Tieteellinen › vertaisarvioitu
18
Sitaatiot
(Scopus)
25
Lataukset
(Pure)