Postgrowth annealing of GaInAs/GaAs and GaInAsN/GaAs quantum well samples placed in a proximity GaAs box: A simple method to improve the crystalline quality

Julkaisun otsikon käännös: Postgrowth annealing of GaInAs/GaAs and GaInAsN/GaAs quantum well samples placed in a proximity GaAs box: A simple method to improve the crystalline quality

J. Pakarinen, C.S. Peng, J. Puustinen, P. Laukkanen, V.-M. Korpijärvi, A. Tukiainen, M. Pessa

    Tutkimustuotos: ArtikkeliTieteellinenvertaisarvioitu

    24 Sitaatiot (Scopus)
    Julkaisun otsikon käännösPostgrowth annealing of GaInAs/GaAs and GaInAsN/GaAs quantum well samples placed in a proximity GaAs box: A simple method to improve the crystalline quality
    AlkuperäiskieliEnglanti
    Sivutpp. 232105-1-3
    Sivumäärä3
    JulkaisuApplied Physics Letters
    Vuosikerta92
    Numero232105
    DOI - pysyväislinkit
    TilaJulkaistu - 2008
    OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

    Julkaisufoorumi-taso

    • Jufo-taso 2

    Siteeraa tätä