Power scalable 2.5 µm (AlGaIn) (AsSb) semiconductor disk laser grown by molecular beam epitaxy

Julkaisun otsikon käännös: Power scalable 2.5 µm (AlGaIn) (AsSb) semiconductor disk laser grown by molecular beam epitaxy

Jonna Paajaste, Riku Koskinen, Jari Nikkinen, Soile Suomalainen, Oleg G. Okhotnikov

Tutkimustuotos: Artikkeli › Tieteellinen › vertaisarvioitu

6 Sitaatiot (Scopus)

Julkaisun otsikon käännös	Power scalable 2.5 µm (AlGaIn) (AsSb) semiconductor disk laser grown by molecular beam epitaxy
Alkuperäiskieli	Englanti
Sivut	454-456
Julkaisu	Journal of Crystal Growth
Vuosikerta	323
Numero	1
DOI - pysyväislinkit	https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2010.11.073
Tila	Julkaistu - 2011
OKM-julkaisutyyppi	A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Julkaisufoorumi-taso

@article{2630ed82bfe9467d962f588b4f485dfb,

title = "Power scalable 2.5 µm (AlGaIn) (AsSb) semiconductor disk laser grown by molecular beam epitaxy",

author = "Jonna Paajaste and Riku Koskinen and Jari Nikkinen and Soile Suomalainen and Okhotnikov, {Oleg G.}",

note = "Project NanoPhotonics Extencion<br/>Contribution: organisation=orc,FACT1=1",

year = "2011",

doi = "10.1016/j.jcrysgro.2010.11.073",

language = "English",

volume = "323",

pages = "454--456",

journal = "Journal of Crystal Growth",

issn = "0022-0248",

publisher = "Elsevier B.V.",

number = "1",

}

TY - JOUR

T1 - Power scalable 2.5 µm (AlGaIn) (AsSb) semiconductor disk laser grown by molecular beam epitaxy

AU - Paajaste, Jonna

AU - Koskinen, Riku

AU - Nikkinen, Jari

AU - Suomalainen, Soile

AU - Okhotnikov, Oleg G.

N1 - Project NanoPhotonics Extencion<br/>Contribution: organisation=orc,FACT1=1

PY - 2011

Y1 - 2011

U2 - 10.1016/j.jcrysgro.2010.11.073

DO - 10.1016/j.jcrysgro.2010.11.073

M3 - Article

SN - 0022-0248

VL - 323

SP - 454

EP - 456

JO - Journal of Crystal Growth

JF - Journal of Crystal Growth

IS - 1

ER -