Properties of the SiO2- and SiNx -capped GaAs(100) surfaces of GaInAsN / GaAs quantum-well heterostructures studied by photoelectron spectroscopy and photoluminescence

Julkaisun otsikon käännös: Properties of the SiO2- and SiNx -capped GaAs(100) surfaces of GaInAsN / GaAs quantum-well heterostructures studied by photoelectron spectroscopy and photoluminescence

J. Dahl, Ville Polojärvi, Joel Salmi, Pekka Laukkanen, Mircea Guina

    Tutkimustuotos: ArtikkeliScientificvertaisarvioitu

    11 Sitaatiot (Scopus)
    Julkaisun otsikon käännösProperties of the SiO2- and SiNx -capped GaAs(100) surfaces of GaInAsN / GaAs quantum-well heterostructures studied by photoelectron spectroscopy and photoluminescence
    AlkuperäiskieliEnglanti
    Artikkeli102105
    Sivut1-3
    Sivumäärä3
    JulkaisuApplied Physics Letters
    Vuosikerta99
    Numero10
    DOI - pysyväislinkit
    TilaJulkaistu - 2011
    OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

    Julkaisufoorumi-taso

    • Jufo-taso 2

    Siteeraa tätä