Relaxation analysis of tensile-strained GaInP by means of strain-induced wafer curvature

Julkaisun otsikon käännös: Relaxation analysis of tensile-strained GaInP by means of strain-induced wafer curvature

T.V. Hakkarainen, A. Schramm, L. Toikkanen, A. Tukiainen, M. Pessa

    Tutkimustuotos: KonferenssiartikkeliTieteellinen

    Julkaisun otsikon käännösRelaxation analysis of tensile-strained GaInP by means of strain-induced wafer curvature
    AlkuperäiskieliEnglanti
    Otsikko15th European Molecular Beam Epitaxy Workshop, Zakopane, Poland, 8-11 March, 2009
    Sivut2 p
    TilaJulkaistu - 2009
    OKM-julkaisutyyppiB3 Vertaisarvioimaton artikkeli konferenssijulkaisussa

    Julkaisufoorumi-taso

    • Ei tasoa

    Siteeraa tätä