Removal of strain relaxation induced defects by flushing of InAs quantum dots

Julkaisun otsikon käännös: Removal of strain relaxation induced defects by flushing of InAs quantum dots

    Tutkimustuotos: ArtikkeliScientificvertaisarvioitu

    7 Sitaatiot (Scopus)
    Julkaisun otsikon käännösRemoval of strain relaxation induced defects by flushing of InAs quantum dots
    AlkuperäiskieliEnglanti
    Artikkeli365107
    Sivut1-5
    Sivumäärä5
    JulkaisuJournal of Physics D: Applied Physics
    Vuosikerta45
    Numero36
    DOI - pysyväislinkit
    TilaJulkaistu - 2012
    OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

    Julkaisufoorumi-taso

    • Jufo-taso 2

    Siteeraa tätä