Room temperature lasing in injection microdisks with InGaAsN/GaAs quantum well active region

E. I. Moiseev, M. V. Maximov, A. M. Nadtochiy, N. V. Kryzhanovskaya, D. A. Sannikov, T. Yagafarov, M. Kulagina, T. Niemi, R. Isoaho, M. Guina, A. E. Zhukov

Tutkimustuotos: KonferenssiartikkeliTieteellinenvertaisarvioitu

3 Sitaatiot (Scopus)
11 Lataukset (Pure)

Abstrakti

Injection microdisk lasers based on three InGaAsN/GaAs quantum wells with different diameters of the resonator were fabricated and studied. Room temperature lasing at 1.2 μm is demonstrated for the first time. Dependence of the threshold current on the diameter is discussed.

AlkuperäiskieliEnglanti
Otsikko5th International School and Conference "Saint Petersburg OPEN 2018": Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures
Alaotsikko2–5 April 2018, Saint Petersburg, Russian Federation
Vuosikerta1124
Painos8
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 2018
OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisussa
TapahtumaInternational School and Conference "Saint Petersburg OPEN": Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures -
Kesto: 2 huhtik. 20185 huhtik. 2018

Julkaisusarja

NimiJournal of Physics: Conference Series
KustantajaIOP Publishing
ISSN (painettu)1742-6588

Conference

ConferenceInternational School and Conference "Saint Petersburg OPEN": Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures
Ajanjakso2/04/185/04/18

Julkaisufoorumi-taso

  • Jufo-taso 1

!!ASJC Scopus subject areas

  • Yleinen fysiikka ja tähtitiede

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'Room temperature lasing in injection microdisks with InGaAsN/GaAs quantum well active region'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä