Self-catalyzed growth of GaAs Nanowires on Si Using Lithography-free Patterning: Ultimate Size Uniformity and Controllable Growth Direction

    Tutkimustuotos: AbstraktiTieteellinen

    AlkuperäiskieliEnglanti
    TilaJulkaistu - syysk. 2018
    TapahtumaICMBE 2018 - the 20th International Conference on Molecular beam Epitaxy - Shanghai, Kiina
    Kesto: 2 syysk. 20187 syysk. 2018
    http://mbe2018.csp.escience.cn/dct/page/1

    Conference

    ConferenceICMBE 2018 - the 20th International Conference on Molecular beam Epitaxy
    Maa/AlueKiina
    KaupunkiShanghai
    Ajanjakso2/09/187/09/18
    www-osoite

    Siteeraa tätä