| Julkaisun otsikon käännös | SiGe/Si heterostructures produced by double-energy Si+ and Ge+, and Ge+ and Ge2+ ion implantations |
|---|---|
| Alkuperäiskieli | Englanti |
| Sivut | 2629-2632 |
| Julkaisu | Journal of Vacuum Science & Technology B, Microelectronics and Nanometer Structures, Processing, Measurement, and Phenomena |
| Vuosikerta | 16 |
| Numero | 5 |
| Tila | Julkaistu - 1998 |
| OKM-julkaisutyyppi | A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä |
Julkaisufoorumi-taso
- Ei tasoa
Siteeraa tätä
- APA
- Author
- BIBTEX
- Harvard
- Standard
- RIS
- Vancouver