Siirry päänavigointiin Siirry hakuun Siirry pääsisältöön

SiGe/Si heterostructures produced by double-energy Si+ and Ge+, and Ge+ and Ge2+ ion implantations

Julkaisun otsikon käännös: SiGe/Si heterostructures produced by double-energy Si+ and Ge+, and Ge+ and Ge2+ ion implantations
  • Z. Xia
  • , E. O. Ristolainen
  • , P. Holloway

    Tutkimustuotos: ArtikkeliTieteellinenvertaisarvioitu

    4 Sitaatiot (Scopus)
    Julkaisun otsikon käännösSiGe/Si heterostructures produced by double-energy Si+ and Ge+, and Ge+ and Ge2+ ion implantations
    AlkuperäiskieliEnglanti
    Sivut2629-2632
    JulkaisuJournal of Vacuum Science & Technology B, Microelectronics and Nanometer Structures, Processing, Measurement, and Phenomena
    Vuosikerta16
    Numero5
    TilaJulkaistu - 1998
    OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

    Julkaisufoorumi-taso

    • Ei tasoa

    Siteeraa tätä