Simulations of 462 nm InGaN quantum well semiconductor lasers

Julkaisun otsikon käännös: Simulations of 462 nm InGaN quantum well semiconductor lasers

A. Dragulinescu, A. Laakso, M. Dumitrescu, M. Guina

    Tutkimustuotos: KonferenssiartikkeliScientificvertaisarvioitu

    2 Sitaatiot (Scopus)
    Julkaisun otsikon käännösSimulations of 462 nm InGaN quantum well semiconductor lasers
    AlkuperäiskieliEnglanti
    OtsikkoAdvanced Topics in Optoelectronics, Microelectronics, and Nanotechnologies IV, August 28 - 31, 2008, Constanta, Romania. Proceedings of SPIE
    ToimittajatP. Schiopu
    Sivut4 p
    DOI - pysyväislinkit
    TilaJulkaistu - 2009
    OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisussa

    Julkaisufoorumi-taso

    • Ei tasoa

    Siteeraa tätä