Strain compensated 1120 nm GaInAs/GaAs vertical external-cavity surface-emitting laser grown by molecular beam epitaxy

Julkaisun otsikon käännös: Strain compensated 1120 nm GaInAs/GaAs vertical external-cavity surface-emitting laser grown by molecular beam epitaxy

Sanna Ranta, Teemu Hakkarainen, Miki Tavast, Jukka Lindfors, Tomi Leinonen, Mircea Guina

    Tutkimustuotos: ArticleScientificvertaisarvioitu

    11 Sitaatiot (Scopus)
    Julkaisun otsikon käännösStrain compensated 1120 nm GaInAs/GaAs vertical external-cavity surface-emitting laser grown by molecular beam epitaxy
    AlkuperäiskieliEnglanti
    Sivut4-9
    JulkaisuJournal of Crystal Growth
    Vuosikerta335
    Numero1
    DOI - pysyväislinkit
    TilaJulkaistu - 2011
    OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli

    Julkaisufoorumi-taso

    • Jufo-taso 1

    Siteeraa tätä