Strain-compensated InGaAs/GaAsP/GaInAsP/GaInP quantum well lasers (lambda~0.98 myym) grown by gas-source molecular beam epitaxy

G. Zhang; A. Ovtchinnikov

Strain-compensated InGaAs/GaAsP/GaInAsP/GaInP quantum well lasers (lambda~0.98 myym) grown by gas-source molecular beam epitaxy

Julkaisun otsikon käännös: Strain-compensated InGaAs/GaAsP/GaInAsP/GaInP quantum well lasers (lambda~0.98 myym) grown by gas-source molecular beam epitaxy

G. Zhang
, A. Ovtchinnikov

Tutkimustuotos: Artikkeli › Tieteellinen › vertaisarvioitu

42 Sitaatiot (Scopus)

Julkaisun otsikon käännös	Strain-compensated InGaAs/GaAsP/GaInAsP/GaInP quantum well lasers (lambda~0.98 myym) grown by gas-source molecular beam epitaxy
Alkuperäiskieli	Englanti
Sivut	1644-1646
Julkaisu	Applied Physics Letters
Vuosikerta	62
Tila	Julkaistu - 1993
OKM-julkaisutyyppi	A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Julkaisufoorumi-taso

Jufo-taso 2

Siteeraa tätä

@article{d0587ef798884ad4ac49e3b7c722c566,

title = "Strain-compensated InGaAs/GaAsP/GaInAsP/GaInP quantum well lasers (lambda\textasciitilde{}0.98 myym) grown by gas-source molecular beam epitaxy",

author = "G. Zhang and A. Ovtchinnikov",

note = "Contribution: organisation=fys,FACT1=1",

year = "1993",

language = "English",

volume = "62",

pages = "1644--1646",

journal = "Applied Physics Letters",

issn = "0003-6951",

publisher = "American Institute of Physics",

}