Strained-layer InGaAs/GaInAsP/GaInP quantum well lasers grown by gas-source molecular beam epitaxy

Julkaisun otsikon käännös: Strained-layer InGaAs/GaInAsP/GaInP quantum well lasers grown by gas-source molecular beam epitaxy

Tutkimustuotos: Artikkeli › Tieteellinen › vertaisarvioitu

15 Sitaatiot (Scopus)

Julkaisun otsikon käännös	Strained-layer InGaAs/GaInAsP/GaInP quantum well lasers grown by gas-source molecular beam epitaxy
Alkuperäiskieli	Englanti
Sivut	1405-1407
Julkaisu	Applied Physics Letters
Vuosikerta	62
Tila	Julkaistu - 1993
OKM-julkaisutyyppi	A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Julkaisufoorumi-taso

@article{94d325f534bf431fbaab6fb149546bc4,

title = "Strained-layer InGaAs/GaInAsP/GaInP quantum well lasers grown by gas-source molecular beam epitaxy",

author = "G. Zhang",

note = "Contribution: organisation=fys,FACT1=1",

year = "1993",

language = "English",

volume = "62",

pages = "1405--1407",

journal = "Applied Physics Letters",

issn = "0003-6951",

publisher = "American Institute of Physics",

}