Study of growth temperature in gas-source molecular-beam epitaxy growth of InGaAs/GaAs guantum well lasers

Julkaisun otsikon käännös: Study of growth temperature in gas-source molecular-beam epitaxy growth of InGaAs/GaAs guantum well lasers

Tutkimustuotos: Artikkeli › Tieteellinen › vertaisarvioitu

6 Sitaatiot (Scopus)

Julkaisun otsikon käännös	Study of growth temperature in gas-source molecular-beam epitaxy growth of InGaAs/GaAs guantum well lasers
Alkuperäiskieli	Englanti
Sivut	967-969
Julkaisu	Applied Physics Letters
Vuosikerta	62
Tila	Julkaistu - 1993
OKM-julkaisutyyppi	A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Julkaisufoorumi-taso

@article{4fb4d1d3647e483c9a434374d514c6ed,

title = "Study of growth temperature in gas-source molecular-beam epitaxy growth of InGaAs/GaAs guantum well lasers",

author = "G. Zhang and A. Ovtchinnikov and M. Pessa",

note = "Contribution: organisation=fys,FACT1=1",

year = "1993",

language = "English",

volume = "62",

pages = "967--969",

journal = "Applied Physics Letters",

issn = "0003-6951",

publisher = "American Institute of Physics",

}