Suppression of annealing-induced In diffusion in Be-doped GaInAsN/GaAs quantum well

Julkaisun otsikon käännös: Suppression of annealing-induced In diffusion in Be-doped GaInAsN/GaAs quantum well

J. Pakarinen, C.S. Peng, V. Polojärvi, A. Tukiainen, V.-M. Korpijärvi, J. Puustinen, M. Pessa, P. Laukkanen, J. Likonen, E. Arola

    Tutkimustuotos: ArtikkeliScientificvertaisarvioitu

    9 Sitaatiot (Scopus)
    Julkaisun otsikon käännösSuppression of annealing-induced In diffusion in Be-doped GaInAsN/GaAs quantum well
    AlkuperäiskieliEnglanti
    Sivutpp. 052102-1-3
    Sivumäärä3
    JulkaisuApplied Physics Letters
    Vuosikerta93
    Numero052102
    DOI - pysyväislinkit
    TilaJulkaistu - 2008
    OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

    Julkaisufoorumi-taso

    • Jufo-taso 2

    Siteeraa tätä