Temperature sensitivity of strained-layer InGaAs/Ga(In)As(P)/GaInP separate-confinement-heterostructure quantum well lasers (lambda ~ 980 nm)

G. Zhang; A. Ovtchinnikov

Temperature sensitivity of strained-layer InGaAs/Ga(In)As(P)/GaInP separate-confinement-heterostructure quantum well lasers (lambda ~ 980 nm)

Julkaisun otsikon käännös: Temperature sensitivity of strained-layer InGaAs/Ga(In)As(P)/GaInP separate-confinement-heterostructure quantum well lasers (lambda ~ 980 nm)

G. Zhang
, A. Ovtchinnikov

Tutkimustuotos: Artikkeli › Tieteellinen › vertaisarvioitu

4 Sitaatiot (Scopus)

Julkaisun otsikon käännös	Temperature sensitivity of strained-layer InGaAs/Ga(In)As(P)/GaInP separate-confinement-heterostructure quantum well lasers (lambda ~ 980 nm)
Alkuperäiskieli	Englanti
Sivut	3599-3602
Julkaisu	Journal of Applied Physics
Vuosikerta	73
Tila	Julkaistu - 1993
OKM-julkaisutyyppi	A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Julkaisufoorumi-taso

Ei tasoa

Siteeraa tätä

@article{01084aff7be64b0bab4640d628bdd780,

title = "Temperature sensitivity of strained-layer InGaAs/Ga(In)As(P)/GaInP separate-confinement-heterostructure quantum well lasers (lambda \textasciitilde{} 980 nm)",

author = "G. Zhang and A. Ovtchinnikov",

note = "Contribution: organisation=fys,FACT1=1",

year = "1993",

language = "English",

volume = "73",

pages = "3599--3602",

journal = "Journal of Applied Physics",

issn = "0021-8979",

publisher = "American Institute of Physics",

}

TY - JOUR

T1 - Temperature sensitivity of strained-layer InGaAs/Ga(In)As(P)/GaInP separate-confinement-heterostructure quantum well lasers (lambda ~ 980 nm)

AU - Zhang, G.

AU - Ovtchinnikov, A.

N1 - Contribution: organisation=fys,FACT1=1

PY - 1993

Y1 - 1993

M3 - Article

SN - 0021-8979

VL - 73

SP - 3599

EP - 3602

JO - Journal of Applied Physics

JF - Journal of Applied Physics

ER -