The effect of annealing on highly Be-doped InGaAsN / GaAs single quantum wells

Julkaisun otsikon käännös: The effect of annealing on highly Be-doped InGaAsN / GaAs single quantum wells

J. Pakarinen, C.S. Peng, V. Polojärvi, P. Laukkanen, A. Tukiainen, V.-M. Korpijärvi, J. Puustinen, E. Arola, M. Pessa

    Tutkimustuotos: KonferenssiartikkeliScientific

    Julkaisun otsikon käännösThe effect of annealing on highly Be-doped InGaAsN / GaAs single quantum wells
    AlkuperäiskieliEnglanti
    OtsikkoProceedings of the Annual Conference of the Finnish Physical Society, 27-29 March, 2008, Turku, Finland. Åbo Akademi University. Report series in physics
    ToimittajatO. Kärki
    Sivutp. 112
    Sivumäärä1
    TilaJulkaistu - 2008
    OKM-julkaisutyyppiB3 Vertaisarvioimaton artikkeli konferenssijulkaisussa

    Julkaisufoorumi-taso

    • Ei tasoa

    Siteeraa tätä